徑跡蝕刻技術(shù)基礎(chǔ)

原始聚合物薄膜的整經(jīng)

重離子由離子源產(chǎn)生，然后通過回旋加速器加速至高達 4 MeV/uma 的能量。

對于束流，聚合物薄膜通過掃描離子束在真空下以恒定速度展開；因此，軌道密度（或所需的孔密度）由離子束強度和薄膜速度精確定義。

將薄膜拉到彎曲輥上以增加軌道的角度范圍，從而通過避免平行雙軌道來提高膜過濾器的選擇性。

橫梁聚合物薄膜的化學蝕刻

束流過程中產(chǎn)生的線性軌道主要以大分子斷鏈、高親水性化學基團和自由真空為特征。

因此，軌道比周圍的本體聚合物對化學物質(zhì)更敏感，并且可以被選擇性地蝕刻，從而導致它們暴露在孔隙中。

化學蝕刻通常是在控制良好的濃度和溫度下使用堿性水溶液進行的。其主要特征在于軌道蝕刻速率(V t )和體蝕刻速率(V g )。 需要高比率 V t / V g才能獲得具有圓柱形孔的均質(zhì)膜過濾器。

孔徑由蝕刻條件定義，而孔密度由光束參數(shù)定義。因此可以獨立地選擇孔徑和孔密度。